به كار گيري ساختار ناهمگون در ترانزيستور اثرميدان تونلي غير پيوندي و تاثير آن بر عملكرد آنالوگ / ديجيتال افزاره

در اين مقاله ترانزيستور اثر ميداني تونلي غير پيوندي – (JLTFET) ارايه مي گردد. ساختار پيشنهادي در اين پژووه توسژن نژر افزار سيلواكو مورد شبيه سازي قرار مي گيرد. پديده تونلزني كوانتومي كه ناشي از خم الگوي نوار انرژي مي باشد بررسي شژده و پارامترهژا و معيارهاي عمده ارزيابي عملكرد افزاره در كاربردهاي آنالوگ يا ديجيتال شامل ولتاژ آستانه )t(V ، شيب زير آستانه (SS) ، جريان حالت روشن )ON(I و خاموش )OFF(I و نيز نسيت اين دو جريان مورد سنج قرار مي گيرد. در ادامه ساختاري موسو به ساختار نژاهمگون (HJLTFET) پيشژنهاد مژي گردد كه بر اساس آن ماده اي با شكاف انرژي متفاوت با ناحيه كانال و درين در سورس استفاده مي شود. تاثير اين ايده بر عملكرد افزاره بررسژي خواهد شد.