شماره ركورد كنفرانس :
372
عنوان مقاله :
طراحي و شبيه سازي يك اسيلاتور حلقوي توان پايين با تكنولوژي CNTFET و مقايسه آن با تكنولوژي CMOS
پديدآورندگان :
جاجرمي امين a.jajarmi@ub.ac.ir استاديار گروه مهندسي برق، دانشكده فني و مهندسي، دانشگاه بجنورد؛ , ميرقراچولو محسن aova007@yahoo.com كارشناسي ارشد الكترونيك،دانشكده فني و مهندسي، موسسه آموزش عالي اشراق؛
كليدواژه :
نانولوله هاي كربني , CNTFET , اسيلاتور حلقوي , CMOS
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس ملي دستاوردهاي نوين در برق و كامپيوتر
چكيده فارسي :
اين مقاله به تحقيق در مورد ترانزيستورهاي مبتني بر تكنولوژيهاي CMOS و CNTFET پرداخته و ضمن بررسي مزايا و معايب هركدام، توپولوژيهاي مختلف اسيلاتورهاي حلقوي را نيز مورد مطالعه قرار ميدهد. همچنين، در اين مقاله مداري جديد براي بررسي اسيلاتورهاي حلقوي بر مبناي ترانزيستورهاي CNTFET و CMOS طراحي ميشود. در طراحي مدار اسيلاتور حلقوي مورد نظر از دو طبقه اينورتر معمولي و يك طبقه اينورتر Current Starved استفاده شده است. در ادامه، مدار پيشنهادي با استفاده از نرم افزار شبيه ساز HSPICE با تكنولوژيCNTFET و CMOS شبيه سازي شده و مقدار توان مصرفي آن در فركانس كاري 4 GHz بدست مي آيد. مقايسه نتايج بدست آمده نشان ميدهد كه مدار شبيه سازي شده با تكنولوژي CNTFET از لحاظ توان مصرفي بسيار مناسب تر از مدار شبيه سازي شده با تكنولوژي CMOS است.
