شماره ركورد كنفرانس :
5370
عنوان مقاله :
شبيه سازي و بهينه سازي ترانزيستور اثر ميداني فلز اكسيد نيمه رسانا از نوع NMOS
پديدآورندگان :
شهابي مصيب دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد , شايسته محمد رضا دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد
تعداد صفحه :
5
كليدواژه :
MOSFET , بهينه سازي , شبيه سازي , سيلواكو , ترانزيستور , NMOS.
سال انتشار :
1401
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين مقاله به شبيه سازي و بهينه سازي ترانزيستور اثر ميداني فلز_اكسيد_نيمه رسانا پرداخته مي‌شود. در ابتدا مراحل شبيه سازي در سيلواكو بيان مي شود. سپس منحني (V_GS-I_D) اين افزاره را استخراج ميشود. پس از آن به تغييرات دما در فرآيند ايجاد اكسيد گيت مورد بررسي قرار مي‌گيرد. منحني (V_GS-I_D) بر حسب اين تغييرات دما را در پروسه ايجاد اكسيد گيت را به دست مي آوريم. تغييرات انرژي در فرآيند دوپينگ ايجاد كانال P اين افزاره مورد بررسي قرار مي‌گيرد و منحني (V_GS-I_D) بر حسب اين تغييرات انرژي را نيز به دست خواهيم آورد و در نهايت تغييرات انرژي در كاشت يوني مورد بررسي قرار خواهد گرفت. پس از آن با توجه به نتايج به دست آمده يك ترانزيستور بهينه شده نسبت به شبيه‌سازي اوليه را طراحي و مورد بررسي قرار خواهد گرفت. تمام مراحل شبيه سازي با استفاده از نرم‌افزار سيلواكو انجام ميشود.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت