شماره ركورد كنفرانس :
5421
عنوان مقاله :
Presenting a two-valley Monte Carlo model for simulating and analyzing electron behavior in GaAs bulk and investigating the effects of electron transitions (Gunn Effect)
پديدآورندگان :
Haddadan Fatemeh fhadadan@yahoo.com Department of Electrical Engineering, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran , Soroosh Mohammad m.soroosh@scu.ac.ir Department of Electrical Engineering, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran , Maleki Mohammad Javad mj.maleki@scu.acir Department of Electrical Engineering, Shahid Chamran University of Ahvaz, Ahvaz, Iran
كليدواژه :
Electron Scattering , GaAs Bulk , Gunn Effect , Monte Carlo Method
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس بين المللي و هفتمين كنفرانس ملي مهندسي برق و سيستم‌هاي هوشمند
چكيده فارسي :
در اين مقاله مدلي دو دره اي براي شبيه سازي و تحليل رفتار الكترون ها درون نيمه هادي از جنس GaAs با استفاده از روش مونت كارلو ارائه شده است . در شبيه سازي عوامل مختلفي كه در پراكندگي الكترون نقش دارند، از قبيل فونون ها و اتم هاي ناخالصي در نظر گرفته شده اند و باندهاي انرژي را بصورت غيرسهموي و دره هاي مركزي و اقماري براي مدل مونت كارلو درنظر-گرفته شده است. رفتار الكترون در درون بالك تحت شرايط مختلف از جمله ميدان هاي ضعيف، قوي و دماهاي مختلف در محيط Matlab شبيه سازي شده است و پارامترهاي ماده از جمله سرعت سوق الكترون ها ، انرژي ، تغييرات جرم موثر ، احتمال حضور الكترون در دره هاي مركزي و اقماري و سهم سازوكارهاي پراكندگي هاي الكتروني محاسبه شده است. بيشينه سرعت در دماهاي مختلف 100و 200و 300 درجه كلوين بترتيب برابر است با 3.47×105, 2.48×105, and 1.76×105 m/s . همچنين سرعت اشباع الكترون ها 0.95×105 m/sدر غلظت 1×1014 cm-3 بدست آمده است. در در ادامه با توجه به اهميت اثر گان در ساخت ادواتي كه داراي مقاومت منفي هستند به تحليل و شبيه سازي اثر گان مي پردازيم كه منجر به هموار شدن فهم عملكرد افزاره هاي مبتني بر GaAs مي شود. براي اعتبار سنجي مدل ارائه شده ، برخي از نتايج حاصل از شبيه سازي مونت كارلو با نرم افزار سيلواكو مقايسه شده است.
