شبيه سازي پروسه ساخت ترانزيستور سيليكون روي الماس دو لايه با كاشت دو مرحله اي نواحي سورس و درين

در اين مقاله، براي اولين بار به شبيه سازي ساخت و پياده سازي فرآيند هاي سيماس ساختار ترانزيستور سيليكون روي الماس دو لايه با كاشت دو مرحله اي نواحي سورس و درين پرداخته شده است. اين نوع ترانزيستور، شامل دو لايه اصلي عايق اكسيد سيليكون و الماس است. فناوري سيليكون روي الماس، به عنوان يك جايگزين پيشرفته براي فناوري سنتي سيليكون روي عايق، مطرح شده است. در اين ساختار، الماس به عنوان عايق الكتريكي اول، منتشركننده گرما و بدنه ترانزيستور بر روي زير لايه سيليكوني قرار دارد و لايه عايق دوم، دي اكسيد سيليكون است كه بر روي لايه الماس قرار گرفته و از دو طرف به نواحي سورس و درين ترانزيستور محدود شده است. از مزاياي اين ساختار ميتوان به ؛ كاهش دماي كل چيپ، كاهش اثرات كانال كوتاه، كاهش جريان نشتي، اشاره كرد. در اين مقاله، با استفاده از نرم افزار شبيه سازي، براي اولين بار به بررسي و مطالعه امكان ساخت ترانزيستور سيليكون روي عايق دولايه منطبق با فرآيند هاي سيماس، پرداخته شد و نتايج حاصل از شبيه سازي، مويد آن است كه ساخت ترانزيستور سيليكون روي عايق دو لايه، مطابق با مراحل استاندارد سيماس ميكروالكترونيك امكان پذير است.