شماره ركورد كنفرانس :
5421
عنوان مقاله :
بررسي تاثير ناخالصي هاي Br، Te، Po و I بر روي خواص الكترونيكي و نوري سولفيد گاليم تك لايه
پديدآورندگان :
حسيني المدواري رضيه السادات rs.hosseini20@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد , نيري مريم nayeri@iauyazd.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي واحد يزد , فتوحي سميه s.fotoohi@iiau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي واحد اسلامشهر
كليدواژه :
سولفيد گاليم , شكاف باند , طيف انتقال
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس بين المللي و هفتمين كنفرانس ملي مهندسي برق و سيستم‌هاي هوشمند
چكيده فارسي :
مقاله حاضر، تاثير ناخالصي اتم هاي گروه ششم و هفتم جدول تناوبي بر نانو ساختار سولفيد گاليم تك لايه از خانواده مونوكالكوژنايد فلز واسطه مورد بررسي قرار مي گيرد. ساختار باند، طيف انتقال باياس صفر و تابع دي الكتريك براي تمام ساختار محاسبه گرديد. شبيه سازي در بستر سياستا و بر مبناي نظريه تابعي چگالي انجام شده است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد كه حضور ناخالصي گروه ششم و هفتم جدول تناوبي در جايگاه گاليم و گوگرد منجر به تغييرات در انرژي شكاف، تابع دي الكتريك و همچنين طيف تابع انتقال مي گردد. به عنوان مثال با قرار گرفتن اتم Po در موقعيت اتم گاليم ساختار مغناطيسي مي گردد. همچنين در اسپين بالا ساختاري با ماهيت فلز و در اسپين پايين، نيمه هادي مستقيم با شكاف باند حدود 0.478 الكترون-ولت را نشان مي دهد. مطالعه ناخالصي در گاليم سولفيد تك لايه، فرصت هاي جديدي را براي بهينه سازي خواص الكترونيكي و نوري اين مواد در ادوات الكترونيكي فراهم مي نمايد.
