تأثير ولتاژ درين بر ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني در سطوح آلايش متفاوت

ويژگي هاي چشمگير مدارات و ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني بيانگر اين امر است كه اين ادوات مي توانند نقش مهمي در سيستم هاي الكترونيكي آينده ايفا نمايند. در اين مقاله تأثير ولتاژ درين درسطوح متفاوت آلايش سورس/ درين بر عملكرد ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني با گيت هم محور و كانال نانولوله كربني نيمه هادي زيگزاگ (n,0)، بررسي مي گردد. اين ادوات با استفاده از تابع گرين غير تعادلي كه معادله شرودينگر را به صورت خود سازگار با معادله پوآسن حل مي كند، شبيه سازي مي شوند. نتايج بدست آمده نشان مي دهد افزايش سطح ناخالصي سورس/درين، در ولتاژ درين ثابت، به دليل افزايش جريان نشتي، عملكرد افزاره را كاهش مي دهد. همچنين افزايش ولتاژ درين، در هر مقداري از سطح آلايش، با افزايش چشمگير جريان تشتي در حالت خاموش و با وجود افزايش ولتاژ درين هدايت بهبود مي يابد اما سويينگ زير آستانه افزايش خواهد يافت.