بررسي اثر تغيير ضخامت اكسيد گيت برعملكرد ديود اثر ميداني نانومتري

هدف این مقاله بررسی عملكرد دیوداثرمیدانی اصلاح شده Modified-FED با تغییر ضخامت اكسیدگیت است ساختار این دیود مشابه با یك MOSFET است با این تفاوت كه سورس و درین آن از هر دو آلایش نوع pو n تشكیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی كانال است به منظوریافتن كمترین ضخامت موثراكسیدگیت این افزارها با ضخامت های اكسید 2و5و10 نانومتر شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراینم قاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان نوار هدایت توزیع پتانسیل الكترواستاتیك و پروفایل چگالی حاملها دردو حالت روشن و خاموش مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد كه درضخامت اكسید 2 نانومتر برای چنین ساختاری كنترل گیت ها بركانال بیشتر بوده بدون آنكه كاهش ضخامت برروی عملكرد افزاره تاثیر نامطلوب داشته باشد.