شماره ركورد كنفرانس :
815
عنوان مقاله :
رشد لايه كيفي SiO2 برروي بستر InSb در فشار و دماي پايين به منظور ساخت آشكارسازهاي مادون قرمز
پديدآورندگان :
مرادي محسن نويسنده استاديار گروه مديريت دانشگاه بين‌‌المللي امام‌‌رضا(ع) , دارايي محمد نويسنده دانشجوي كارشناسي ارشد دانشگاه سيستان و بلوجستان , راستگو مرتضي نويسنده صنايع قطعات نيمه هادي، صنعت آپتوالكترونيك , اوسط عليپور علي نويسنده صنايع قطعات نيمه هادي، صنعت آپتوالكترونيك
كليدواژه :
C-V، InSB,PECVD , AFM,SEM
عنوان كنفرانس :
شانزدهمين كفنراسن اپتيك و فوتونيك ايران و دومين كنفرانس مهندسي فوتونيك ايران
چكيده فارسي :
report iconخلاصه مقاله:
رشد لايه نازك SiO2 با استفاده از تكنيك رسوب شيميايي از پلاسماي گاز (PECVD) در دما و فشار پايين به گونه اي كه بتوان از آن در ساخت آشكار سازهاي فتوديودي آرايه اي اينديوم آنتيمونايد (InSb) استفاده كرد،مورد تاكيد ما در اين مقاله است. براي اين منظور لايه SiO2 رشد داده شده بايد متراكم بوده وداراي كمينه بارهاي آزاد داخل اكسيد و مرز مشترك اكسيد نيمه هادي باشد. با استفاده از تنظيم نسبتهاي گاز، توان و فشار و به كمك ازمايشاتي SEM,AFM و اندازه گيري نرخ خوردگي و تغييرات ظرفيت خازني - ولتاژ، كيفيت الكتريكي اكسيد را بهينه نماييم.
كلمات كليدي:
اندازه گيري ، تصاوير .
شماره مدرك كنفرانس :
1845181
