بررسي پارامتر ها در كاهش ابعاد ترانزيستور ماسفت و شبيه سازي آن

امروزه، تمایل به كاهش ابعاد ترانزیستورها باهدف قرار دادن تعداد بیشتری از ترانزیستورها در فضای موجود از موضوعات بسیار مهم می باشد. این موضوع از زمان ساخت اولین چیپ ست سیلیكونی، بحث مهمی بوده است تا جایی كه امروزه این قابلیت وجود دارد كه می‌توان در فضای مورد نیاز برای قرار دادن یك ترانزیستور از نسل اولین چیپ ست، ده هزار ترانزیستور نسل جدید قرار داد. همچنین طبق نظریه قانون مور این تعداد در هر یك و نیم سال، دو برابر می شود. هدف از این تحقیق طراحی ترانزیستوری سیلیكونی با ابعادی كوچكتر از ابعادهای موجود می باشد كه نتایج شبیه سازی ترانزیستور ماسفت در نرم افزار چند فیزیكی كامسول را نشان می دهد كه می ‌‌‌‌‌‌‌توان ابعاد موجود را نسبت به قبل كاهش داد. بهبود خروجی های ترانزیستور در این پایان نامه از طریق ایجاد تغییر در ناخالصی ترانزیستور انجام شده است از طرفی با ایجاد تغییر در نمودار های جریان و ولتاژ ماسفت و مشاهده نتایج شبیه سازی، توانسته ایم مقاومت ورودی ترانزیستور را افزایش و مقاومت خروجی آن را كاهش دهیم.