Author/Authors
BENNOUR, A. Université Sidi Mohamed Ben Abdellah - Faculté des Sciences Techniques - Laboratoire de Traitements et Transmission de l’information (LTTI), Maroc , MAZER, S. Université Sidi Mohamed Ben Abdellah - Faculté des Sciences Techniques - Laboratoire de Traitements et Transmission de l’information (LTTI), Maroc , EL BEKKALI, M. Université Sidi Mohamed Ben Abdellah - Faculté des Sciences Techniques - Laboratoire de Traitements et Transmission de l’information (LTTI), Maroc , POLLEUX, J-L. Université Paris-Est - ESYCOM (EA 2552), ESIEE, UPEM, Le Cnam, France , TEGEGNE, Z.G. Université Paris-Est - ESYCOM (EA 2552), ESIEE, UPEM, Le Cnam, France , ALGANI, C. Université Paris-Est - Le Cnam, ESYCOM (EA2552), France
Title Of Article
Modèle de phototransistor SiGe/Si haute-fréquences: effet de distribution spatiale bi-dimensionnelle
شماره ركورد
35392
Abstract
Ce papier présente les résultats de nos travaux de recherche concernant la modélisation d’un phototransistor à hétérojonction PTH SiGe. Dans ces travaux, nous nous sommes intéressés aux phénomènes survenant lors de la fabrication du composant PTH SiGe à partir d’un transistor bipolaire à hétérojonction HBT. Notamment la distribution spatiale du flux des porteurs de charges qui modifie les caractéristiques statique, optique et dynamique du composant.
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NaturalLanguageKeyword
PTH , modèle grand signal , phototransistor SiGe , Si , fréquence de transition , distribution spatiale.
JournalTitle
Mediterranean Telecommunications Journal
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