شماره ركورد :
1034091
عنوان مقاله :
انسداد ميدان الكتريكي جانبي از نواحي درين و سورس جهت بهبود اثرات كانال كوتاه در افزاره Nano-SOI
عنوان به زبان ديگر :
Blockage of Lateral Electric Field from Source/Drain Regions to Improve Short Channel Effects in Nano-SOI device
پديد آورندگان :
انوري فرد، محمدكاظم دانشگاه گيلان -دانشكده فني و مهندسي شرق گيلان، رودسر
تعداد صفحه :
8
از صفحه :
991
از صفحه (ادامه) :
0
تا صفحه :
998
تا صفحه(ادامه) :
0
كليدواژه :
مقياس نانو , نيترايد سيليسيم , اثرات كانال كوتاه , ميدان الكتريكي
چكيده فارسي :
در اين مقاله روشي جديد براي بهبود اثرات كانال كوتاه بدون پيچيدگي در فرآيند ساخت افزاره‌هاي سيليسيم روي عايق در مقياس نانو ارائه شده است. فكر اساسي در اين مقاله تحقق اكسيد U شكل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اكسيد مدفون و ناحيه كانال است. مسير ميدان الكتريكي جانبي از سمت درين و سورس پس از برخورد به اكسيد تعبيه شده منحرف شده و مقدار كمتري از خطوط ميدان الكتريكي توانايي كافي براي عبور از اكسيد و رسيدن به ناحيه كانال را پيدا مي‌كنند. افزايش رسانش مؤثر حرارتي ساختار پيشنهادي توانايي مضاعفي به ساختار جديد جهت كار در دماهاي بالاتر مي‌دهد. مقايسه ساختار ارائه شده با افزاره مرسوم نشان مي‌دهد كه پارامترهاي مهمي همچون اثرات كانال كوتاه، دماي شبكه، ميدان الكتريكي، تحرك پذيري الكترون، كندوكتانس درين و جريان نشتي به‌طور موثري بهبود يافته است كه نمايانگر برتري ساختار پيشنهادي است. ساختارهاي تحت مطالعه در اين مقاله با استفاده از نرم‌افزار ATLAS كه خود يكي از محصولات تجاري SILVACO است شبيه‌سازي شده است.
چكيده لاتين :
This paper has presented a new method for the improvement of short channel effects with no complexity in the fabrication flow of Nanoscale silicon-on-insulator (SOI) devices. The basic idea in this paper is realization of a U-shaped oxide using Si3N4 material inside the buried oxide and channel region. The lateral electric field lines path from source/drain deviates after meeting with the embedded oxide. As a result, less electric field lines will get the ability to go through the oxide and to reach the channel region. A double ability is caused by increase in effective thermal conduction of the proposed structure in high temperature applications. A comparison between the proposed structure and conventional structure shows that the important parameters such as short channel effects, lattice temperature, electric field, electron mobility and drain conductance have been effectively improved promising the superiority of the proposed device. The structures under study in this paper have been simulated by ATLAS simulator which is one of the commercial products of SILVACO family
سال انتشار :
1397
عنوان نشريه :
مهندسي برق دانشگاه تبريز
فايل PDF :
7550613
عنوان نشريه :
مهندسي برق دانشگاه تبريز
لينک به اين مدرک :
بازگشت