عنوان مقاله :
تقويت كننده كم نويز فرا پهن باند جديد با قابليت كنترل بهره به صورت پيوسته
عنوان به زبان ديگر :
A New Ultra-Wideband Low Noise Amplifier With Continuous Gain Control
پديد آورندگان :
بيجاري، ابوالفضل دانشگاه بيرجند - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر - گروه الكترونيك، بيرجند , شيخي، مهدي دانشگاه بيرجند - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، بيرجند
كليدواژه :
تقويت كننده كم نويز , بهره متغير , فيدبك فعال , فرا پهن باند
چكيده فارسي :
در اين مقاله يك تقويت كننده كم نويز (LNA) جديد با بهره متغير براي كاربردهاي فرا پهن باند ارائه مي‌شود. در طبقه ورودي سورس مشترك، خنثي سازي جزئي نويز و تطبيق امپدانس ورودي با اعمال فيدبك فعال موازي-موازي انجام مي‌شود. استفاده از طبقه خروجي كسكود با بهره افزايش يافته، باعث جا به جايي قطب تشديد بالا به فركانس هاي بالاتر و در نتيجه دستيابي به بهره مسطح بالا مي‌شود. مدار استفاده شده براي كنترل بهره در خروجي، تنها باعث تغيير پيوسته بهره توان مستقيم (S21) شده و تغييري در تلف بازگشتي ورودي (S11) و عدد نويز در بهره هاي مختلف ايجاد نمي كند. تقويت كننده كم نويز پيشنهاد شده بر اساس فنّاوري RF-TSMC CMOS µm 0.18 طراحي و با استفاده از نرم افزار ADS شبيه سازي شده است. نتايج شبيه سازي مداري نشان مي دهد كه LNA پيشنهاد شده داراي تلف برگشتي ورودي (S11) كمتر از 10dB- و بهره توان (dB 14 (S21 و عدد نويز كمتر از dB 3.6 در بازه فركانسي وسيع 3.5 تا 13.5 GHz است. همچنين مصرف توان LNA پيشنهاد شده از منبع تغذيه پايين V 0.9 در حدود mW 12 و بازه تغييرات بهره توان مستقيم آن نيز از dB 7 تا dB 14 است.
چكيده لاتين :
This paper presents a new variable gain low noise amplifier (VG-LNA) for ultra-wideband (UWB) applications. The proposed VG-LNA uses a common-source (CS) with a shunt-shunt active feedback as an input stage to realize input matching and partial noise cancelling. An output stage consists of a gain-boosted CS cascode and a gain control circuit that moves the high resonant frequency to higher frequencies and provides flatness gain. The direct power gain (S21) is continuously controlled without significant degradation in the input return loss (S11) and noise figure. The proposed VG-LNA is designed and simulated using RF-TSMC 0.18 μm CMOS technology by Advanced Design System (ADS). Simulation results show a maximum flat power gain (S21) of 14 dB with a noise figure (NF) lower than 3.6 dB and an input impedance matching (S11) less than –10 dB over the wide bandwidth of 3.5 to 13.5 GHz. Its power consumption is 12 mW with low power supply of 0.9 V. In addition, the power gain ranges from 7 to 14 dB at the center frequency of 8.5 GHz.
عنوان نشريه :
مهندسي برق و الكترونيك ايران
