افزايش طول‌عمر حافظه‌ي نهان سطح آخر غيرفرار با كمك بلوك‌هاي ذخيره

تكنولوژي حافظه‌هاي غيرفرار همچون STT-RAM، داراي چگالي سلول بالا بوده و همچنين توان نشتي تقريبا صفر دارند. در نتيجه مي‌توانند به عنوان يك جايگزين مناسب براي حافظه‌هاي نهان متداول امروزي همچون SRAM، در نظر گرفته شوند. در مقابل مزاياي ذكر شده، اين حافظه‌ها داراي قابليت تحمل نوشتن محدود هستند كه مي‌تواند منجر به طول‌عمر پايين آنها شود. در اين مقاله يك راهكار براي افزايش طول‌عمر اين نوع حافظه‌ها ارائه مي‌شود كه مبتني بر اضافه كردن بلوك‌هاي ذخيره به ازاء هر مجموعه از حافظه‌ي نهان است. با خرابي يك بلوك از يك مجموعه، راهكار پيشنهادي به صورت هوشمند و بدون تاثير منفي بر كارايي سيستم، بلوك خراب را از آن مجموعه خارج كرده و يك بلوك ذخيره را به آن مجموعه اضافه مي‌كند.