عنوان مقاله :
طراحي و تحليل يك ترانزيستور اثرميداني تونلي بدون پيوند دو گيتي با ساختار گيت چند ماده اي
عنوان به زبان ديگر :
Design and Analysis of a Multi Material Double Gate Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
پديد آورندگان :
بشيري، نگار دانشگاه آزاد اسلامي واحد خوي - گروه مهندسي برق، خوي، ايران , حسيني، رضا دانشگاه آزاد اسلامي واحد خوي - گروه مهندسي برق، خوي، ايران
كليدواژه :
جريان حالت روشن , جريان حالت خاموش , گيت چند ماده اي , ترانزيستور اثرميداني تونلي بدون پيوند , تونل زني باند به باند , تابع كار
چكيده فارسي :
در اين مقاله، يك ترانزيستور اثرميداني دو گيتي تونلي بدون پيوند با ساختار گيت چند ماده اي (Multi Material DG JL TFET) ارايه شده و عملكرد آن براساس سطوح نوار هاي انرژي مورد بررسي قرار گرفته است. تمام شبيه سازي ها توسط نرم افزار سيلواكو انجام گرفته است. تاثير مينيمم محلي نوار هدايت در شدت انتقال بين حالت هاي روشن و خاموش نشان داده شده است. از نتايج بدست آمده مشخص شد با انتخاب مقدار مناسب تابع كار براي فلزات گيت ساختار ارايه شده، مي توان به جريان حالت خاموش پايين، شيب زير آستانه پايين، جريان حالت روشن بالا و نسبت جريان حالت روشن به جريان حالت خاموش بهبود يافته اي دست يافت. همچنين در اين مقاله مشخصه هاي الكتريكي ساختار دو گيتي با گيت چند ماده اي با مشخصه هاي ساختار گيت يك ماده اي و دو ماده اي مقايسه گرديد. ساختار پيشنهادي ولتاژ آستانه كمتر، جريان حالت روشن بالاتر و نسبت جريان حالت روشن به جريان حالت خاموش بالاتري در مقايسه با ساير ساختارها نشان داد. در نهايت، با مقايسه پاسخ فركانسي ساختارهاي ارايه شده مشخص گرديد ساختار با گيت چند ماده اي داراي ترارسانايي و فركانس قطع بالايي است.
چكيده لاتين :
In this paper, a double gate junctionless tunnel field effect transistor (JLTFET) with multi material gate (MMG) structure is presented, and the performance of the transistor has been investigated based on the energy band diagram. All simulations have been carried out using the two dimensional Silvaco Atlas simulator. The effect of the conduction band minima on the abruptness of transition between the ON and OFF states has been hown. Selection of the appropriate value of the gate work function of the proposed structure can give low OFF current, low subthreshold swing, high ON current and improved ION/IOFF. Also, in this paper, the electrical characteristics of MM DG Tunnel FET have been compared with single and dual material gates structures. The proposed structure presented low threshold voltage, high ON current and high ION/IOFF in comparison with the other structures. Finally, high transconductance and high cut-off frequency were observed in multi material double gate device in comparison to other structures.
عنوان نشريه :
مهندسي برق و الكترونيك ايران
