عنوان مقاله :
تحليل تاثيرتغييرات معماريFINها بر جريانDrain ترانزيستورFINFET و بر متوسط‌توان‌مصرفي و تاخيرانتشاري درتمام‌جمع‌كننده‌‌يCMOS-آميخته
عنوان به زبان ديگر :
Analysis of the effect of changes of FINs Architectural on FINFET Drain current and on Average Power Dissipation and Propagation Delay in the Hybrid-CMOS full adder
پديد آورندگان :
راشدزاده، تيمور دانشگاه آزاد اسلامي واحد بوشهر - گروه برق , رياضي، محمدعلي دانشگاه آزاد اسلامي واحد بوشهر - گروه برق , چراغي شيرازي، نجمه دانشگاه آزاد اسلامي واحد بوشهر - گروه برق
كليدواژه :
تمام جمع كننده , FINFET , توان , تاخير , جريان
چكيده فارسي :
دراين مقاله، مدارتمام جمع كننده، باسبك منطقيCMOSآميخته مطرح شده است كه تركيبي از ترانزيستورهاي عبور و گيت هاي انتقال و ترانزيستورهاي نوعN وP مي باشد. براي طراحي مدار تمام جمع كننده از ترانزيستورهايFINFET، مدل BSIM-CMG، دو-گيتي و ساختار FINFETرويBulk و طولGate 16نانومتر استفاده خواهيم كرد و براي شبيه سازي از HSPICEاستفاده ميكنيم. با توجه به ساختار و معماري ترانزيستورهايFINFET، تاثير تغييرات در ضخامت و ارتفاع وتعدادFIN بر روي جريانDrain ترانزيستورFINFET و پارامترهاي خروجي تمام جمع كننده مانند تاخيرانتشاري و متوسط توان مصرفي تمام جمع كننده و همچنين تاثير تغييرات در فركانس ورودي ها مورد بررسي قرارمي گيرد. مطابق نتايج شبيه سازي با افزايش ارتفاع وضخامت وتعدادFIN، جريان DrainترانزيستورFINFET و توانمصرفي تمام جمع كننده افزايش پيدا مي كند و تاخيرانشاري تمام جمع كننده كاهش پيدا مي كند و بلعكس. و همچنين با افزايش فركانس كاري، توان مصرفي تمام جمع كننده افزايش پيدا مي كند.
چكيده لاتين :
In this paper, full adder circuit with Hybrid-CMOS logic style is proposed which is a combination of pass transistors and transmission gates and N & P type transistors. For design full adder circuitry using FINFET transistors, BSIM-CMG model, Dual-gate and bulk FINFET structure using 16nm Gate length and HSPICE simulation. due to the structure and architecture of the FINFET transistors, the effect of changes in thickness and height and the number of FINs on the Drain current of the FINFET transistor and output parameters such as average power dissipation and propagation delay of the full adder cell and also the effect of changes in inputs frequency of full adder are investigated. According to the simulation results, with increasing thickness and height and the number of FINs, average power dissipation increases and propagation delay decreases, and vice versa. As well as increasing the operating frequency up, average power dissipation increases.
عنوان نشريه :
مهندسي مخابرات جنوب
