طراحي و شبيه سازي سلول حافظه دسترسي تصادفي ايستا با توان مصرفي پايين مبتني بر ترانزيستور فين‌فت

ترانزيستور‌هاي اثر ميدان (فين‌فت) به دليل توانايي بالقوه در كنترل اثرات كانال كوتاه، جريان نشتي، تاخير انتشار و اتلاف توان، جايگزين مناسبي براي ترانزيستور‌هاي معمولي فلزي-اكسيد-نيمه هادي (ماسفت) مي‌باشند. با توجه به اينكه حافظه‌هاي ايستا با دستيابي تصادفي، بيشترين فضاي پردازنده‌هاي پيشرفته را اشغال مي‌كنند، لذا عمده مصرف توان اين پردازنده‌ها به اين حافظه‌ها اختصاص مي‌يابد. در سلول حافظه ايستا 6 ترانزيستوري رايج، هنگام خواندن و نوشتن، خازن‌هاي مربوط به خطوط بيت هردو بايد بارگيري و تخليه شوند. بنابراين قسمت عمده‌اي از مصرف توان، مربوط به اين ساز‌و‌كار مي‌باشد. در اين تحقيق يك سلول حافظه 7 ترانزيستوري با استفاده از ترانزيستورهاي فين‌فت با قابليت نوشتن با استفاده از يكي از خطوط بيت پيشنهاد شده‌است. نتايج شيبه‌سازي با استفاده از نرم‌افزار اچ‌اس‌پايس و در فناوري 32 نانومتر نشان مي‌دهد كه مصرف توان اين سلول در هنگام نوشتن زماني كه در سلول مقدار 0 ذخيره شده‌است، حداكثر به ميزان %6/98 و هنگامي كه در سلول مقدار 1 وجود دارد، به ميزان %8/99 كاهش داشته‌است. همچنين ميزان حاشيه امنيت در برابر نويز در حالت‌هاي آماده‌به‌كار و خواندن سلول به ترتيب برابر با 2025/0 و 2011/0 ولت مي‌باشد.