بررسي و تحليل جهت طراحي يك پنل فتوولتائيك با استفاده از فناوري نيم رساناي اكسيد - فلز مكمل با كاركرد ولتاژ حداكثر

در اين تحقيق و مقاله، از يك مرحله حذف بستر موضعي براي ساخت يك پنل كوچك با فناوري نيم رساناي اكسيد-فلز مكمل فتوولتائيك با نور پشتي مناسب براي كاربردهاي ولتاژ بالا و توان كم استفاده شده است. حذف بستر موضعي را مي توان با ايجاد يك شكاف فيزيكي 50 ميكرومتري بين سلول هاي فتوولتائيك تراشه اي براي جداسازي الكتريكي، در حالي كه نياز به زمان بر بودن مراحل انتخاب و مكان را ايجاد كرد، ارتقا يافته فناوري ماژول چند تراشه در نظر گرفت. اثبات مفهوم ماژول فتوولتائيك، ولتاژ مدار باز حداكثر و جريان اتصال كوتاه در مقياس ميكروآمپر را در يك ضريب شكل كوچك ) 3.13 ولت بر ميلي متر مربع( به دست آورد. ساخت اين ميني ماژول فتوولتائيك بر اساس فرآيندهاي استاندارد توليد/بستهبندي ميكروالكترونيك است، در نتيجه يكپارچگي آسان با ساير ميكروالكترونيكها براي سيستمهاي خود تغذيه را تضمين ميكند.