مطالعه ابتدا به ساكن تحول نقص خودبين‌نشين در ساختار بلوري 4H-SiC

اثرات ماكروسكوپي تخريب تابشي بر مواد ناشي از برهم‌نهي تدريجي آسيب‌هاي اوليه در مقياس اتمي است. در اين پژوهش با استفاده از روش شبيه‌سازي ديناميك مولكولي ابتدا به ساكن، اثرات حضور نقص‌هاي نقطه‌اي خودبين‌نشين بر خواص الكتروني و ساختاري 4H-SiC مورد بررسي قرار گرفت. بنابر نتايج به دست آمده، مهم‌ترين عامل در تغيير اين خواص، جايگاه نقص ايجاد شده در شبكه است. يافته‌هاي محاسبات ابتدا به ساكن نشان داد كه بازتركيب زوج فرنكل ايجاد شده در ساختار، در صورتي رخ خواهد داد كه حفره و نقص به اندازه كافي به يكديگر نزديك بوده و حداكثر اين فاصله حدود يك ثابت شبكه باشد. نتايج به‌دست آمده حاكي از اين امر بوده است كه زمان بازتركيب زوج فرنكل براي نقص اتم كربن و سيسلسيوم به ترتيب در حدود 120 و 1600 فمتوثانيه مي‌باشد. چنانچه بازتركيب رخ ندهد، شاهد حضور ترازهاي تله در گاف انرژي مي‌باشيم كه اين موضوع مي‌تواند در كاهش بازده اين نوع از آشكارسازها نقش بسزايي داشته باشد.