بررسي خصوصيات الكتروني و نوري ساختار ZnSe شبه‌گرافن با در نظرگرفتن اثرات بس‌ذره‌اي

خواص الكتروني و نوري ZnSe شبه‌گرافن از طريق يك مطالعه‌ جامع با استفاده از محاسبات بس‌ذره‌اي مورد بررسي قرار گرفت. با استفاده از روش GW، ساختار نوار الكتروني و پهناي نواري ZnSe شبه‌گرافن با در نظر گرفتن اثرات بس‌ذره‌اي تعيين گرديد. علاوه بر اين، خواص نوري ZnSe شبه‌گرافن با استفاده از روش GW+BSE بررسي شد و طيف جذب نوري و خصوصيات برانگيختگي مانند انرژي بستگي اكسيتون‌ها و پهناي نواري نوري تعيين شد. محاسبات نشان مي‌دهد كه ساختار نوار ZnSe شبه‌گرافن، مستقيم و در حدود 869/4 الكترون‌ولت است و داراي اكسيتون‌هايي با بستگي نسبتاً قوي بين 2/0 تا 8/0 الكترون‌ولت مي‌باشد. عمده‌ توزيع اكسيتون‌هاي مقيد ناشي از گزارهاي Zn(3p)+Zn(3d)+Se(4p) ®Zn(4s)+Se(4s) در نقطه‌ گاما منطقه‌ بريلوئن قرار دارد. تعيين دقيق ساختار نواري، پهناي نوار و خواص برانگيختگي درك بهتر رفتار مواد و كمك به‌طراحي و بهينه‌سازي دستگاه‌هاي مبتني بر ZnSe شبه‌گرافن را ممكن مي‌سازد.