521061

بهبود رساناي خروجي ترانزيستورهاي PD SOI MOSFET باطول كانال 45 نانومتر با استفاده از شبيه سازي سه بعدي

دقيقي، آرش نويسنده دانشكده فني، دانشگاه شهركرد , , فرج زاده، آذر نويسنده دانشگاه آزاد اسلامي نجف آباد,دانشكده برق ,

-

6

27

32

شبيه سازي سه بعدي , رسانايي خروجي , ماسفتSQI , اتصال بدنه , مقاومت بدنه

#تست#آزمون###امتحان