عنوان مقاله :
مقايسه لايه هاي سد كننده AL2 S3 و ZnS در سلول هاي خورشيدي حساس شده با نقاط كوانتومي
عنوان به زبان ديگر :
Comparison of AL2S3 and ZnS Blocking Layers in Quantum Dot Sensitized Solar Cells
پديد آورندگان :
وفاپور، برزو دانشگاه تربيت مدرس - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر - گروه الكترونيك , فتحي، داود دانشگاه تربيت مدرس - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر - گروه الكترونيك , اسكندري، مهدي جهاد دانشگاهي تهران - گروه نانو مواد
كليدواژه :
سلول خورشيدي حساس شده با نقاط كوانتومي , نانوميله هاي اكسيد روي , لايه ي سدكننده , سولفيد روي , سولفيد آلومينيوم
چكيده فارسي :
در اين تحقيق، سلول هاي خورشيدي حساس شده با نقاط كوانتومي بر پايهي نانوميله هاي اكسيد روي ساخته شد. با توجه به چالش هاي موجود در اين نوع سلول ها از جمله رسانندگي ضعيف اكسيد روي، به علت باز تركيب بالا در مرز الكتروليت و نقاط كوانتومي و انتقال ضعيف الكترون از نقاط كوانتومي به اكسيد روي، چندين آزمايش و بهينه سازي روي فوتوآند انجام شد. به منظور بهبود بخشيدن به انتقال الكترونها و كاهش باز تركيب در فصل مشترك الكتروليت با نقاط كوانتومي، دو لايهي سد كننده مورد استفاده قرار گرفت. نتايج حاصل نشان ميدهد كه با مقايسه بين دو لايه سد كننده ( ZnO / CdS / ZnS ) و ( ZnO / CdS / AL2S3 )، بازدهي سلول به ترتيب برابر با 1/28 و1/24 درصد، ولتاژ مدار باز به ترتيب برابر با 0/67 و 0/67 ولت، چگالي جريان مدار باز به ترتيب برابر با 3/86 و 3/75 ميلي آمپر، و فاكتور پرشوندگي به ترتيب برابر با 48/6 و 49/3 درصد بدست مي آيد. مي توان دريافت كه به علت كاهش جذب نور و بازتركيب الكترون - حفره، لايه سد كننده ZnS بازده بيشتري ( 1/28 درصد) را در مقايسه با(درصد Al2S3 ( 1/24 به خود اختصاص مي دهد.
چكيده لاتين :
In this research, quantum dot-sensitized solar cells QDSSCs based on ZnO nanorods. Due to the challenges in these types of cells such as ZnO weak conductivity, because of high recombination at the electrolyte-quantum dots QDs interface and weak electron transfer from QDs to ZnO, several experiments and improvement are performed on the photo anode. In order to improve the electron transfer and reduce the recombination at the electrolyte-QDs interface, two blocking layers have been utilized. The obtained results show that with the comparison between two blocking layers ZnO/CdS/ZnS and ZnO/CdS/AL2S3, the cell efficiency equal to 1.28 and 1.24 respectively, the open circuit voltage equal to 0.67 and 0.67 volts respectively, the open circuit current density equal to 3.86 A and 3.75 A respectively, and the filling factor equal to 48.6 and 49.3 respectively are obtained. We find here that due to the reduction of light absorption and the electron-hole recombination, the ZnS blocking layer yields higher efficiency 1.28 in comparison with the Al2S3 1.24 .
